中微公司刻蚀设备

1. 国外icp氮化镓刻蚀机厂商都有那几家

太阳电池制作工艺太阳能电池工艺简介及厂房建设总结 我公司从02年开始，先后承接过目前国内太阳能电池行业主流公司的一系列项目（从硅片制造到组件生产），通过完成这些项目的设计、施工和二次配，我公司无疑已成为业内承接太阳能电池生产厂房的最专业公司。我自己还见证了以上某项目从破土动工到正式投产，甚至停产改造的所有过程，也曾去过兄弟太阳能项目，通过现场的亲历和对这些公司施工图的研读，对太阳能电池的生产工艺及厂房及建设略知一二，愿在此与大家探讨。 一、工艺简介 在上一次《太阳能电池的一些资讯》中，对于生产原理，我已经做过叙述，太阳能电池生产工艺一般分为：扩散前清洗、扩散、扩散后清洗、刻蚀、PECVD，丝网印刷，烧结，分类检测和封装。 扩散前清洗的目的在于制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过强酸和强碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。相关设备有无锡瑞宝，德国RENA，深圳捷佳创，这些设备中最好的是RENA，因为他不光卖设备，还卖制绒工艺的专利。所使用的介质有HF，HCL，HNO3，NaOH，Na2SiO3和乙醇等。动力源有自来水，纯水，压缩空气，氮气，工艺冷却水，废水，热排风和酸排风。 扩散的目的在于形成PN结。硅片含硼，是P型结物质，需要往里面掺杂磷，使电子发生移动，形成PN结空穴。所使用的介质有POCL3，N2，O2。动力源有压缩空气，氮气，工艺冷却水，热排风和有机排风。使用的设备是高温扩散炉，厂商有SVCS，TEMPRESS，长沙48所等。该道工艺有洁净要求，需要在洁净室内运行。因为扩散炉内的石英管需要清洗，所以需要增加一种石英管清洗机。 扩散后清洗的目的在于洗去扩散时形成的磷硅玻璃，即SiO2和 P2O5的混合物，所以扩散后清洗机又叫做去磷硅玻璃清洗机。动力源有氮气，压缩空气，纯水，HF，热排风，酸排风，废水等。设备有深圳捷佳创。 刻蚀的目的在于把硅片的边缘PN结断开，防止短路。目前国内所使用的设备几乎都是长沙48所的。动力源有CF4，N2，NH3，热排风，有机排风。 PECVD的目的在于镀氮化硅薄膜，增加折射率，同时掺杂H元素，使缺陷减少，还可以保护硅片。所用设备有德国的ROTH&RAW平板式PECVD设备，还有CENTROTHERMO的管式PECVD设备。动力源有SiH4，NH3，氮气，压缩空气，工艺冷却水，热排风，硅烷排风等。 丝网印刷的目的在于印刷导电电极。先印背面，再印正面。目前国内大多数厂家使用设备是意大利的BACCINI印刷线。动力源有真空，压缩空气，热排风，有机排风等。 烧结的目的是把电极烧结在PN结上。高温烧结可以使电极穿透氮化硅膜，形成合金。所用设备有美国DESPACH等。动力源有压缩空气，工艺冷却水，热排风，有机排风等。 分类检测的目的在于把电池片按照效率进行分类。目前国内大多数厂家使用设备是意大利的BACCINI检测仪。动力源有真空，压缩空气。 最后一道工艺就是热塑包装。 二、厂房建设经验总结 一条年产量25MW的生产线，设备占地至少需要1100平方米，而国内厂商一般很少有只计划一条线的公司，所以太阳能电池生产车间净面积都在2000平方米以上。按照16小时甚至24小时生产来计算，工艺人员不下于百人，所以相应的办公室，更衣间，食堂，宿舍，卫生间等设施都不能太小。外线动力站（制冷，供热，纯水，空压，真空，空调，工艺冷却水，消防，变配电，自控，通讯等）房总面积不小于2000平方米。厂房和动力站房有钢筋混凝土框架结构，多层建筑的，也有钢结构加金属复合板单层建筑的，但布置工艺和动力设备的楼层，因管线众多，层高都较大，至少是7米。 以下经验总结均以50MW生产线为例。 电源是整个工厂的首要条件，仅工艺和动力设备用电功率就在1800KW左右，必须有可靠的电能供应。PECVD设备，制冷机，空压机，空调风机和循环水泵是用电功率较大的设备。 工艺纯水的用量在15吨/小时左右，水质标准都要达到中国电子级水的技术指标GB/T11446.1-1997中EW-1级。工艺冷却水用量也在15吨/小时左右，水质中微粒粒径不宜大于10微米，供水温度宜在15-20℃，供水压力5巴左右，应有可靠的温度，供水压力控制，最好采用变频泵。 压缩空气用量在400NM3/H左右，如果空气品质要求较高，如需要达到压缩空气质量等级的1级甚至更高要求，建议使用无油空压机。如果露点温度要求苛刻，干燥机建议使用组合式。真空排气量在300M3/H左右，水环式真空泵虽然便宜，但是效率下降的也快，不推荐使用。氮气和氧气如果靠近大的气体供应站，一般采用液体储罐供应的方式，初投资低，氮气储罐20立方米左右，氧气10立方米足够。特殊气体如硅烷等，考虑安全因素，单独设置一个特气间还是很有必要的。 空调系统的空气处理方式则视具体土建情况而言，可以采取组合式空气处理机组集中处理，也可以采用干盘管进行分散处理。生产车间出扩散区外，温湿度均只要满足人体舒适性即可，建议冬夏能有一定变化，这样既可节能，又让人能适应室内外温度变化，不易感冒。扩散区由于对洁净度要求较高，需要设计独立的空气处理系统，主要关注的是洁净度，该区散热量也较大。酸排气量不小于10000M3/H，一般采用湿式洗涤、中和的处理方式。有机排气量也不小于10000M3/H，一般采用干式吸附法处理。热排风量也不小于13000M3/H，因为只是普通排气，可以不用处理，直接排放即可。相对而言，硅烷处理要谨慎，否则容易起火。 整个施工试车过程中，特别要注意的是水，气通入设备之前除做好强度严密性试验，确保无渗漏外；务必保证清洗、吹扫试验要干净彻底，否则，设备一旦被污染，再次清洗不但代价昂贵，甚至会造成重大损失。二次配管时，某些设备的特殊需要，则根据业主的要求和初投资而定，如扩散炉具有较强腐蚀性的高温酸性排风；供强酸、强碱、特气的多层管路，PECVD、刻蚀机的隔声泵房等。 厂房设计和施工公司的选择，是考验投资方智慧和眼光的大事，切不可因一时便宜而选择之。没有选择好专业的公司，将会付出成沉重的代价。 工厂建成以后，最重要的就是运行维护。太阳能电池厂房动力保障是一个复杂的系统，需要至少2-4名理论功底扎实，动手能力强、富有高度责任感的工程师核心队伍，经常对各动力系统进行巡察，及时分析和解决出现的问题，甚至适时提出改造方案；否则不能及时发现隐患，很可能等问题出现时导致停产。

2. 68国产ICP刻蚀设备有哪个品牌好些麻烦告诉我

刻硅的话，来按照你的预算，国源产的尽量买北方微的。
东方中科是代理，SENTECH是德国刚刚做plasma设备的小公司，东方喜欢代理这类公司，但是都是业界不出名的公司，白老鼠的风险较大。
创世威纳基本不用考虑。小于一百万的预算的话，买他们的不如去买中科院微电子所的ICP。
还要看你刻硅要刻到多深，如果是那种要刻穿的，一般要用bosch工艺，设备都比较贵。最好的刻硅的设备是STPS，你这个预算不一定够。能支持国产就支持国产的吧，北方微算是最好的了，只要不是很特殊的应用，性能也不是太差。

3. 中国的光刻机与刻蚀机已经达到世界先进水平，为什么有些人还说中国芯片业依旧前路艰辛

据媒体报道，2018年12月，中微半导体设备（上海）有限公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5纳米制程生产线。5纳米，相当于头发丝直径（约为0.1毫米）的二万分之一，将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划2019年进行5纳米制程试产，预计2020年量产。

中国的刻蚀机的确是达到了世界先进水平，光刻机还早，而且就算是这两样都世界先进了，不代表中国芯片业的前路就不艰辛了。目前中国的刻蚀机的确领先，5纳米等离子体刻蚀机已经通过台积电验证；但是光刻机就差多了，之前新闻报道中提到的“中科院SP超分辨光刻机”其实最多只能算是一个“原型机”，和ASML的光刻机不能相提并论，也不能用来制造芯片，还需要攻克一系列的技术难题退一步讲，就算是中国的光刻机与刻蚀机都达到世界领先就解决问题了么？ASML的EUV光刻机我们已经下单等待交货了，是不是到货以后中国就可以生产7nm甚至是5nm的芯片了不要把问题想简单了，以为芯片也只有光刻机和刻蚀机。芯片制造的技术、经验、工艺以及人才是一个系统性的工程，台积电也不是一天建成的，有了光刻机也不代表我们就能造出最顶尖的芯片。

4. 如何查看国家大基金二期名单

网络搜索就能查看。

一、半导体设备：

中微公司：国产刻蚀机龙头；

2.晶盛机电：国内晶体生长设备龙头企业，在长晶炉方面已有成果；

3.北方华创：产品线最全（刻蚀机，薄膜沉积设备等）的半导体设备公司；

4.长川科技：检测设备从封测环节切入到晶圆制造环节；

5.精测电子：国家大基金增资子公司，从面板检测进军半导体检测领域；（今天涨停）华兴源创：国产半导体测试设备龙头；

6.至纯科技：国内高纯工艺龙头，清洗设备可期；

7.万业企业：旗下凯世通作为离子注入机国产化稀缺标的。

二、材料：

1、半导体材料：

雅克科技、鼎龙股份、晶瑞股份、南大光电、昊华科技、江化微、安集科技、江丰电子、巨化股份、有研新材、阿石创、上海新阳；

2、面板材料：

万润股份、濮阳惠成、三利谱、飞凯材料、强力新材、永太科技、新纶科技；

3、5G材料及胶黏剂：

国瓷材料（陶瓷材料）、碳元科技（散热材料）、回天新材（胶黏剂）、方邦股份（电磁屏蔽膜）；

三、其他新材料：

光威复材（碳纤维龙头）。

5. 2000万一台，这才是国之重器，台积电5nm的必需设备，什么情况

在半导体行业中，如果一家公司想占据领先地位，则技术，材料和设备这三个关键因素必不可少，如果只有技术而没有材料和设备的支持，那么这只是纸上谈兵，反之亦然，毫无疑问，着眼于著名的芯片巨头，他们在这三个方面都有发言权，因此他们可以占领大部分市场，半导体原材料没什么可说的，由于芯片主要基于单晶硅，即载体，因此全球所有材料制造商都在围绕基于硅的芯片开展业务，尽管我们的国内材料领域不是优势，但我们也取得了一些明显的突破，例如，国内高端光刻胶的诞生一举打破了外国的垄断，对于设备而言，这甚至更为重要，因为如果没有相关设备的支持，就无法制造芯片，对于更核心的半导体设备，大多数人必须第一次想到光刻机。

6. 中微半导体5nm真假

中微半导体5nm是误导性新闻。

某网络媒体未经证实发布了关于 “当所有的巨头还在为10nm、7nm技术大肆进军的时候，中国中微正式宣布掌握5nm技术”的误导性新闻，后经多家媒体转载造成了不实信息的扩散。

中微公司从未发布上述信息，也从未授权任何媒体机构和个人刊发、转载此报道。该报道曲解了中微在3月11日CCTV-2《中国财经报道》节目中的采访内容，节目中提到中微公司的某个机台正在测试5纳米工艺。

在采访报道中，中微董事长兼CEO尹志尧博士表示：“国际上最先进的芯片生产公司像英特尔、台积电、三星，他们的14纳米已经成熟生产了，10纳米和7纳米很快进入生产，所以我们必须超前，5纳米今年年底基本上就要定了，现在进展特别快，几乎一年两年就一代，所以我们就赶得非常紧。”

实际上，正是中微的客户——国际一流的集成电路制造厂商，推动了芯片技术和生产一代又一代的进步。中微作为设备公司，是向他们提供可加工先进器件的设备，协助他们实现新一代器件的开发和生产。中微不可能脱离他们的5纳米技术开发，而独立地掌握5纳米技术。

中微从事的是半导体高端设备的开发、销售和售后服务，是一种市场化的商业行为，在国际半导体设备产业，参与产业链的合作和竞争也是十分正常的。文章的作者也不应该将这种正常的商务行为过分夸大和渲染，造成不必要的、非商业的敏感性。

(6)中微公司刻蚀设备扩展阅读

刻蚀机是芯片制造的核心设备，和光刻机的作用是一样重要的，只不过其不存在技术壁垒，所以不存在一家独大的局面。

刻蚀机主要用来在芯片上进行微观雕刻，刻出又细又深的线条和接触孔，需要注意的是，这些线条和接触孔的加工精度是头发丝直径的几万分之一，可见这项工作有多精细，这也对刻蚀机的精度提出了很高的要求，不能有丝毫偏差，而如今中微半导体成功研发出5nm刻蚀机也能够解决芯片研发中的难题，意义重大。

中微半导体刻蚀机不仅获得台积电的认可，而且还获得不少国产厂商的青睐，近日长江存储就向中微半导体采购9台刻蚀机，接下来中微半导体还将和粤芯、合肥长鑫等多家厂商合作，国产厂商齐心协力，共同打赢这场芯片反击战。

7. 中微半导体设备这家公司如何公司环境、福利，涨薪幅度，加班多么

不错的公司，需要平时关注

8. 光刻机和刻蚀机的区别

1、工艺抄不同：刻蚀机是将硅片袭上多余的部分腐蚀掉，光刻机是将图形刻到硅片上。

2、难度不同：光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

(8)中微公司刻蚀设备扩展阅读：

等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式。

其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。

某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。

等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。