中微公司刻蝕設備

1. 國外icp氮化鎵刻蝕機廠商都有那幾家

太陽電池製作工藝太陽能電池工藝簡介及廠房建設總結 我公司從02年開始，先後承接過目前國內太陽能電池行業主流公司的一系列項目（從矽片製造到組件生產），通過完成這些項目的設計、施工和二次配，我公司無疑已成為業內承接太陽能電池生產廠房的最專業公司。我自己還見證了以上某項目從破土動工到正式投產，甚至停產改造的所有過程，也曾去過兄弟太陽能項目，通過現場的親歷和對這些公司施工圖的研讀，對太陽能電池的生產工藝及廠房及建設略知一二，願在此與大家探討。 一、工藝簡介 在上一次《太陽能電池的一些資訊》中，對於生產原理，我已經做過敘述，太陽能電池生產工藝一般分為：擴散前清洗、擴散、擴散後清洗、刻蝕、PECVD，絲網印刷，燒結，分類檢測和封裝。 擴散前清洗的目的在於制絨，就是把相對光滑的原材料矽片的表面通過強酸和強鹼腐蝕，使其凸凹不平，變得粗糙，形成漫反射，減少直射到矽片表面的太陽能的損失。相關設備有無錫瑞寶，德國RENA，深圳捷佳創，這些設備中最好的是RENA，因為他不光賣設備，還賣制絨工藝的專利。所使用的介質有HF，HCL，HNO3，NaOH，Na2SiO3和乙醇等。動力源有自來水，純水，壓縮空氣，氮氣，工藝冷卻水，廢水，熱排風和酸排風。 擴散的目的在於形成PN結。矽片含硼，是P型結物質，需要往裡面摻雜磷，使電子發生移動，形成PN結空穴。所使用的介質有POCL3，N2，O2。動力源有壓縮空氣，氮氣，工藝冷卻水，熱排風和有機排風。使用的設備是高溫擴散爐，廠商有SVCS，TEMPRESS，長沙48所等。該道工藝有潔凈要求，需要在潔凈室內運行。因為擴散爐內的石英管需要清洗，所以需要增加一種石英管清洗機。 擴散後清洗的目的在於洗去擴散時形成的磷硅玻璃，即SiO2和 P2O5的混合物，所以擴散後清洗機又叫做去磷硅玻璃清洗機。動力源有氮氣，壓縮空氣，純水，HF，熱排風，酸排風，廢水等。設備有深圳捷佳創。 刻蝕的目的在於把矽片的邊緣PN結斷開，防止短路。目前國內所使用的設備幾乎都是長沙48所的。動力源有CF4，N2，NH3，熱排風，有機排風。 PECVD的目的在於鍍氮化硅薄膜，增加折射率，同時摻雜H元素，使缺陷減少，還可以保護矽片。所用設備有德國的ROTH&RAW平板式PECVD設備，還有CENTROTHERMO的管式PECVD設備。動力源有SiH4，NH3，氮氣，壓縮空氣，工藝冷卻水，熱排風，硅烷排風等。 絲網印刷的目的在於印刷導電電極。先印背面，再印正面。目前國內大多數廠家使用設備是義大利的BACCINI印刷線。動力源有真空，壓縮空氣，熱排風，有機排風等。 燒結的目的是把電極燒結在PN結上。高溫燒結可以使電極穿透氮化硅膜，形成合金。所用設備有美國DESPACH等。動力源有壓縮空氣，工藝冷卻水，熱排風，有機排風等。 分類檢測的目的在於把電池片按照效率進行分類。目前國內大多數廠家使用設備是義大利的BACCINI檢測儀。動力源有真空，壓縮空氣。 最後一道工藝就是熱塑包裝。 二、廠房建設經驗總結 一條年產量25MW的生產線，設備佔地至少需要1100平方米，而國內廠商一般很少有隻計劃一條線的公司，所以太陽能電池生產車間凈面積都在2000平方米以上。按照16小時甚至24小時生產來計算，工藝人員不下於百人，所以相應的辦公室，更衣間，食堂，宿舍，衛生間等設施都不能太小。外線動力站（製冷，供熱，純水，空壓，真空，空調，工藝冷卻水，消防，變配電，自控，通訊等）房總面積不小於2000平方米。廠房和動力站房有鋼筋混凝土框架結構，多層建築的，也有鋼結構加金屬復合板單層建築的，但布置工藝和動力設備的樓層，因管線眾多，層高都較大，至少是7米。 以下經驗總結均以50MW生產線為例。 電源是整個工廠的首要條件，僅工藝和動力設備用電功率就在1800KW左右，必須有可靠的電能供應。PECVD設備，製冷機，空壓機，空調風機和循環水泵是用電功率較大的設備。 工藝純水的用量在15噸/小時左右，水質標准都要達到中國電子級水的技術指標GB/T11446.1-1997中EW-1級。工藝冷卻水用量也在15噸/小時左右，水質中微粒粒徑不宜大於10微米，供水溫度宜在15-20℃，供水壓力5巴左右，應有可靠的溫度，供水壓力控制，最好採用變頻泵。 壓縮空氣用量在400NM3/H左右，如果空氣品質要求較高，如需要達到壓縮空氣質量等級的1級甚至更高要求，建議使用無油空壓機。如果露點溫度要求苛刻，乾燥機建議使用組合式。真空排氣量在300M3/H左右，水環式真空泵雖然便宜，但是效率下降的也快，不推薦使用。氮氣和氧氣如果靠近大的氣體供應站，一般採用液體儲罐供應的方式，初投資低，氮氣儲罐20立方米左右，氧氣10立方米足夠。特殊氣體如硅烷等，考慮安全因素，單獨設置一個特氣間還是很有必要的。 空調系統的空氣處理方式則視具體土建情況而言，可以採取組合式空氣處理機組集中處理，也可以採用干盤管進行分散處理。生產車間出擴散區外，溫濕度均只要滿足人體舒適性即可，建議冬夏能有一定變化，這樣既可節能，又讓人能適應室內外溫度變化，不易感冒。擴散區由於對潔凈度要求較高，需要設計獨立的空氣處理系統，主要關注的是潔凈度，該區散熱量也較大。酸排氣量不小於10000M3/H，一般採用濕式洗滌、中和的處理方式。有機排氣量也不小於10000M3/H，一般採用乾式吸附法處理。熱排風量也不小於13000M3/H，因為只是普通排氣，可以不用處理，直接排放即可。相對而言，硅烷處理要謹慎，否則容易起火。 整個施工試車過程中，特別要注意的是水，氣通入設備之前除做好強度嚴密性試驗，確保無滲漏外；務必保證清洗、吹掃試驗要干凈徹底，否則，設備一旦被污染，再次清洗不但代價昂貴，甚至會造成重大損失。二次配管時，某些設備的特殊需要，則根據業主的要求和初投資而定，如擴散爐具有較強腐蝕性的高溫酸性排風；供強酸、強鹼、特氣的多層管路，PECVD、刻蝕機的隔聲泵房等。 廠房設計和施工公司的選擇，是考驗投資方智慧和眼光的大事，切不可因一時便宜而選擇之。沒有選擇好專業的公司，將會付出成沉重的代價。 工廠建成以後，最重要的就是運行維護。太陽能電池廠房動力保障是一個復雜的系統，需要至少2-4名理論功底扎實，動手能力強、富有高度責任感的工程師核心隊伍，經常對各動力系統進行巡察，及時分析和解決出現的問題，甚至適時提出改造方案；否則不能及時發現隱患，很可能等問題出現時導致停產。

2. 68國產ICP刻蝕設備有哪個品牌好些麻煩告訴我

刻硅的話，來按照你的預算，國源產的盡量買北方微的。
東方中科是代理，SENTECH是德國剛剛做plasma設備的小公司，東方喜歡代理這類公司，但是都是業界不出名的公司，白老鼠的風險較大。
創世威納基本不用考慮。小於一百萬的預算的話，買他們的不如去買中科院微電子所的ICP。
還要看你刻硅要刻到多深，如果是那種要刻穿的，一般要用bosch工藝，設備都比較貴。最好的刻硅的設備是STPS，你這個預算不一定夠。能支持國產就支持國產的吧，北方微算是最好的了，只要不是很特殊的應用，性能也不是太差。

3. 中國的光刻機與刻蝕機已經達到世界先進水平，為什麼有些人還說中國晶元業依舊前路艱辛

據媒體報道，2018年12月，中微半導體設備（上海）有限公司自主研製的5納米等離子體刻蝕機經台積電驗證，性能優良，將用於全球首條5納米製程生產線。5納米，相當於頭發絲直徑（約為0.1毫米）的二萬分之一，將成為集成電路晶元上的最小線寬。台積電計劃2019年進行5納米製程試產，預計2020年量產。

中國的刻蝕機的確是達到了世界先進水平，光刻機還早，而且就算是這兩樣都世界先進了，不代表中國晶元業的前路就不艱辛了。目前中國的刻蝕機的確領先，5納米等離子體刻蝕機已經通過台積電驗證；但是光刻機就差多了，之前新聞報道中提到的「中科院SP超分辨光刻機」其實最多隻能算是一個「原型機」，和ASML的光刻機不能相提並論，也不能用來製造晶元，還需要攻克一系列的技術難題退一步講，就算是中國的光刻機與刻蝕機都達到世界領先就解決問題了么？ASML的EUV光刻機我們已經下單等待交貨了，是不是到貨以後中國就可以生產7nm甚至是5nm的晶元了不要把問題想簡單了，以為晶元也只有光刻機和刻蝕機。晶元製造的技術、經驗、工藝以及人才是一個系統性的工程，台積電也不是一天建成的，有了光刻機也不代表我們就能造出最頂尖的晶元。

4. 如何查看國家大基金二期名單

網路搜索就能查看。

一、半導體設備：

中微公司：國產刻蝕機龍頭；

2.晶盛機電：國內晶體生長設備龍頭企業，在長晶爐方面已有成果；

3.北方華創：產品線最全（刻蝕機，薄膜沉積設備等）的半導體設備公司；

4.長川科技：檢測設備從封測環節切入到晶圓製造環節；

5.精測電子：國家大基金增資子公司，從面板檢測進軍半導體檢測領域；（今天漲停）華興源創：國產半導體測試設備龍頭；

6.至純科技：國內高純工藝龍頭，清洗設備可期；

7.萬業企業：旗下凱世通作為離子注入機國產化稀缺標的。

二、材料：

1、半導體材料：

雅克科技、鼎龍股份、晶瑞股份、南大光電、昊華科技、江化微、安集科技、江豐電子、巨化股份、有研新材、阿石創、上海新陽；

2、面板材料：

萬潤股份、濮陽惠成、三利譜、飛凱材料、強力新材、永太科技、新綸科技；

3、5G材料及膠黏劑：

國瓷材料（陶瓷材料）、碳元科技（散熱材料）、回天新材（膠黏劑）、方邦股份（電磁屏蔽膜）；

三、其他新材料：

光威復材（碳纖維龍頭）。

5. 2000萬一台，這才是國之重器，台積電5nm的必需設備，什麼情況

在半導體行業中，如果一家公司想占據領先地位，則技術，材料和設備這三個關鍵因素必不可少，如果只有技術而沒有材料和設備的支持，那麼這只是紙上談兵，反之亦然，毫無疑問，著眼於著名的晶元巨頭，他們在這三個方面都有發言權，因此他們可以佔領大部分市場，半導體原材料沒什麼可說的，由於晶元主要基於單晶硅，即載體，因此全球所有材料製造商都在圍繞基於硅的晶元開展業務，盡管我們的國內材料領域不是優勢，但我們也取得了一些明顯的突破，例如，國內高端光刻膠的誕生一舉打破了外國的壟斷，對於設備而言，這甚至更為重要，因為如果沒有相關設備的支持，就無法製造晶元，對於更核心的半導體設備，大多數人必須第一次想到光刻機。

6. 中微半導體5nm真假

中微半導體5nm是誤導性新聞。

某網路媒體未經證實發布了關於 「當所有的巨頭還在為10nm、7nm技術大肆進軍的時候，中國中微正式宣布掌握5nm技術」的誤導性新聞，後經多家媒體轉載造成了不實信息的擴散。

中微公司從未發布上述信息，也從未授權任何媒體機構和個人刊發、轉載此報道。該報道曲解了中微在3月11日CCTV-2《中國財經報道》節目中的采訪內容，節目中提到中微公司的某個機台正在測試5納米工藝。

在采訪報道中，中微董事長兼CEO尹志堯博士表示：「國際上最先進的晶元生產公司像英特爾、台積電、三星，他們的14納米已經成熟生產了，10納米和7納米很快進入生產，所以我們必須超前，5納米今年年底基本上就要定了，現在進展特別快，幾乎一年兩年就一代，所以我們就趕得非常緊。」

實際上，正是中微的客戶——國際一流的集成電路製造廠商，推動了晶元技術和生產一代又一代的進步。中微作為設備公司，是向他們提供可加工先進器件的設備，協助他們實現新一代器件的開發和生產。中微不可能脫離他們的5納米技術開發，而獨立地掌握5納米技術。

中微從事的是半導體高端設備的開發、銷售和售後服務，是一種市場化的商業行為，在國際半導體設備產業，參與產業鏈的合作和競爭也是十分正常的。文章的作者也不應該將這種正常的商務行為過分誇大和渲染，造成不必要的、非商業的敏感性。

(6)中微公司刻蝕設備擴展閱讀

刻蝕機是晶元製造的核心設備，和光刻機的作用是一樣重要的，只不過其不存在技術壁壘，所以不存在一家獨大的局面。

刻蝕機主要用來在晶元上進行微觀雕刻，刻出又細又深的線條和接觸孔，需要注意的是，這些線條和接觸孔的加工精度是頭發絲直徑的幾萬分之一，可見這項工作有多精細，這也對刻蝕機的精度提出了很高的要求，不能有絲毫偏差，而如今中微半導體成功研發出5nm刻蝕機也能夠解決晶元研發中的難題，意義重大。

中微半導體刻蝕機不僅獲得台積電的認可，而且還獲得不少國產廠商的青睞，近日長江存儲就向中微半導體采購9台刻蝕機，接下來中微半導體還將和粵芯、合肥長鑫等多家廠商合作，國產廠商齊心協力，共同打贏這場晶元反擊戰。

7. 中微半導體設備這家公司如何公司環境、福利，漲薪幅度，加班多麼

不錯的公司，需要平時關注

8. 光刻機和刻蝕機的區別

1、工藝抄不同：刻蝕機是將矽片襲上多餘的部分腐蝕掉，光刻機是將圖形刻到矽片上。

2、難度不同：光刻機的難度和精度大於刻蝕機。

(8)中微公司刻蝕設備擴展閱讀：

等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式。

其原理是暴露在電子區域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。

某種程度來講，等離子清洗實質上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行乾式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入並與等離子體進行交換。

等離子體在工件表面發生反應，反應的揮發性副產物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實際上便是一種反應性等離子工藝。