『壹』 金剛石薄膜
從20世紀70年代起，原蘇聯就開始了金剛石薄膜的研究工作，開發出了化學氣相沉積法，即CVD法。日本於80年代初，借鑒原蘇聯的技術，開發出微波CVD法（MW CVD）；美國從1984年投入力量，開始追趕。從1987年掀起了世界范圍的金剛石薄膜熱；西方國家把當今世界稱為新金剛石時代；1988年10月在日本東京召開「首屆國際新金剛石科學技術研討會」，16個國家、360名代表參加；1990年9月在美國華盛頓召開了第二屆「新金剛石研討會」，有18個國家、470名代表參加，發表了180篇文章，其中有一半以上是有關CVD法。近年來，日本每年拿出1億美元投入到薄膜開發；1991年美國政府撥款約1千萬美元。
不久將來以金剛石薄膜為基礎的新一代電子產品，會大量出現。有下面幾例可說明當今金剛石薄膜的生產技術水平：①1991年美國應用脈沖激光方法，在銅襯底上成功地合成出金剛石單晶；②日本於1991年取得金剛石薄膜沉積速度達1000μm/h的水平；③1991年，烏克蘭超硬材料研究所研製出直徑達半米的薄膜，並向一米直徑進軍；④金剛石薄膜的沉積溫度，已降至350℃。
我國「七五」規劃863工程金剛石薄膜開發項目執行以來，已有30多個大學及院所，以及公司從事開發研究，取得可喜的進展，大多數國外採用的方法國內均有並已達到了實際應用水平。
一、應用領域
由於金剛石薄膜硬度高、耐磨性好、絕緣性好以及具有優異的熱、電、光、聲特性，故它在高速計算機、超大規模集成電路、高溫微電子、光電子、空間技術、激光技術以及現代通訊等領域內有著巨大的應用潛力。
它主要用於：①集成電路、激光器件的散熱片；②紅外窗口；③超大型集成電路晶元；④薄膜感測器；⑤高保真揚聲器振動膜；⑥機械零件耐磨表面；⑦晶體管二極體、激光二極體的熱沉材料；⑧抗輻射電子儀器；⑨防化學腐蝕的表面；⑩熱敏電阻片（溫度達600℃）等等。
二、金剛石薄膜制備工藝
金剛石薄膜的制備方法很多，可分為兩大類：物理氣相沉積法（PVD）；化學氣相沉積法（CVD）。現介紹幾種典型常用的方法：
1.熱絲化學相沉積法（HCVD）
此法又稱為熱能CVD法，其工作原理見圖2-11-10（1）。該法是把基片（Si、Mo、石英玻璃片等）放在用石英玻璃管（或其他材料）製成的反應室內，先將系統抽真空至預定值。然後通入原料氣體（一般採用CH4與H2的混合氣體，其體積濃度之比：0.5%～2.0%），使反應室內的氣體壓力達到103～105Pa，將外電爐升至預定溫度，再使燈絲（鎢絲或鉭絲）加熱至2000℃以上。熱絲與基底之間的距離為1mm至幾十毫米之間；基片溫度為500～900 ℃。在這樣的反應條件下，CH4、H2被熱解，金剛石在基片上沉積，便獲得金剛石薄膜產品。
熱絲法的優點是：設備簡單，操作容易。缺點是：生長速度慢（1～2μm/h）；熱絲的化學成分會污染金剛石膜。
圖2-11-10 CVD裝置示意圖
2.直流等離子體噴射CVD法（DCPCVD）
等離子體CVD包括直流等離子體、高頻等離子體和微波等離子體CVD三種。
直流等離子體CVD的裝置見圖2-11-10（2）。等離子體噴管有圓筒狀噴嘴（陽極）和圓筒中的柱狀陰極組成。陰極用鎳製成，陽極材料為紫銅。在陰極和陽極之間通入的CH4+H2氣體放電，形成電弧，產生C、H、H2多種等離子體。它們在壓力差的作用下，以接近聲速的高速度從噴嘴噴出，形成了等離子體射流撞擊到水冷的基底上，沉積成金剛石膜。
直流等離子體CVD法的典型工藝條件如下：
碎岩工程學
該方法的優點：能在很快速度下生長優質大尺寸金剛石厚膜，最快的生長速度可達930μm/h。缺點是所用設備較復雜。
著名的美國Norton公司就是採用該方法以工業化的規模生產優質金剛石膜。
3.微波等離子體CVD法
微波等離子體CVD裝置如圖2-11-10（3）所示。微波發生器產生的微波，通過波導管耦合到反應器內，而產生輝光放電。反應器內的微波一方面使CH4和H2混合氣體原料電離成等離子體；另一方面加熱基底溫度至700～900℃。因此，微波等離子體的輸出功率不僅影響基底溫度，而且影響反應物的質量。採用本方法時，金剛石在基片上的沉積速度為3μm/h。
4.化學火焰法（燃燒火焰法）CFD
1988年，日本發明了一種非常方便的制備金剛石薄膜的方法——燃燒火焰法，如圖2-11-10（4）所示。
燃燒是一種氧化反應，大氣下的燃燒火焰，也是一種等離子體。如果將碳氫化合物C2H2和氧氣通入到火焰槍，只要預混氧氣適量，就能形成由焰心、內焰（還原焰）和外焰（氧化焰）構成的火焰。在外焰區，C原子被氧化成CO2，因此不能用於金剛石的制備；在內焰區，由於氧氣不足，燃燒不安全，因此，在該區內含有大量的活性游離基團。這些活性基團在溫度較低的基底上，沉積出金剛石膜。
基片放在內焰范圍中，基片溫度為500～1100℃，氣體流量均為1～6L/min；內焰長度25～60mm；試樣到噴口距離為15～40mm。
該方法的特點是：可在大氣中進行，設備簡單，成本低；沉積速度快（60～100μm/h）；能在硬質合金基片上沉積。
『貳』 你好 請問如果是小作坊生產電鍍金剛石鑽頭，需要投入設備和技術大概花費多少
單一鑽頭,只需要開鎳水缸和整流器再配置一些簡單設施就OK
『叄』 金剛石真空濺射鍍膜國內有沒有生產設備的廠家
濺射金剛石鍍膜效果真不好
靶材成本太大了
一般cvd的方法能夠鍍膜，薄膜和厚膜都行的
而且附著力不錯，現在銑刀鑽頭上面的加工都往cvd發展的
『肆』 小型化生產電鍍鎳金剛石磨頭需要什麼設備，大約投資多少
看哪種磨頭了，普通的3-5萬就可以干起來。精度要求高的如精雕機用加工玻璃磨頭，投資要大一些
『伍』 金剛石鍍鈦機多少錢
1萬多到3萬多，首先一次鍍的金剛石量不一樣，第二設備質量不一樣
『陸』 你好，請問開個電鍍金剛石切割刀片、磨片的加工廠的話，投資需要多少資金呢
在要看產量大小和產品性能要求（比如砂粒越粗，電鍍時間就越長，產量就越低），通常是先做一套設備，取得經驗再擴大規模。一套設備投資1萬元左右。
『柒』 請問電鍍金剛石設備那有買
你想鍍哪種金剛石製品？你需要說清楚的，好給你提供幫助。
『捌』 金剛石鍍膜用什麼設備
什麼意思？鍍金剛石膜層嗎?用真空離子鍍膜機就可以搞定。
『玖』 國內做CVD金剛石塗層設備做得比較好的公司有那幾家主要應用於刀具塗層。
國內做金剛石塗層設備的都是些大學在搞，上海交大機動學院就自己做設備，北京有一家也是自己做的設備，都差不多，爐子空間小，每次最多能塗七八十支